[20a-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20a-331-2] GaN基板上n型およびp型エピ層のキャリア再結合の比較

〇(M1)朱 帥¹、浅田 貴斗¹、伊藤 健治²、冨田 一義²、成田 哲生²、加地 徹³、加藤 正史^1,3 (1.名工大、2.豊田中研、3.名大)

キーワード：GaN、キャリアライフタイム、TRPL