[20a-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20a-331-3] SIMSによるGaN結晶中の低濃度炭素の測定

〇新宮 一恵¹、大渕 真澄¹、Hockett Richard²、Wang Larry² (1.ナノサイエンス、2.EAG)

キーワード：窒化ガリウム、二次イオン質量分析

GaN基板上にHVPEにより成長したn-GaN層を成長した試料を用いて低濃度炭素をSIMSのラスター変化法で評価した。バックグラウンドの影響を排除し、14乗台の炭素濃度を検出し、6試料間で差を確認した。今回得られた炭素の検出下限は1ｘ10¹⁴以下であった。