The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

Presentation information

Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.3 Plasma nanotechnology

[20a-437-1~11] 8.3 Plasma nanotechnology

Thu. Sep 20, 2018 9:00 AM - 12:00 PM 437 (437)

Akihisa Ogino(Shizuoka Univ.)

11:45 AM - 12:00 PM

[20a-437-11] Control mechanism of differentiation at cell proliferation on carbon nanowalls scaffold with electrical stimulation

〇(M2)Tomonori Ichikawa1, Hiroki Kondo1, Hiroshi Hashizume2, Hiromasa Tanaka2, Takayoshi Tsutsumi1, Kenji Ishikawa1, Masaru Hori2 (1.Nagoya. Univ. Eng., 2.Nagoya Univ. Inst. of Innovation fori Future Society)

Keywords:Carbon nanowalls, Cell culture, plasma

我々は、多層グラフェンが基板上に垂直成長したカーボンナノウォール (CNWs) を細胞培養足場として着目し、基板表面の単位面積あたりに占める壁密度とその壁表面の化学終端構造が細胞の増殖率や形態に影響することを示した。本研究では、細胞内応答の解明を目指し、CNWs足場上培養中の細胞への電気刺激が及ぼす細胞内のイオン濃度や遺伝子発現の変化を調べることで、電気刺激を付与された細胞内分子機構を考察した。