[20a-438-1~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [20a-438-10] Control of sp² carbon bonds in amorphous carbon films by formation of precursor radicals depending on a residence time

〇Hirotsugu Sugiura¹, Yasuyuki Ohashi¹, Lingyun Jia¹, Hiroki Kondo¹, Kenji Ishikawa¹, Takayoshi Tsutsumi¹, Keigo Takeda², Makoto Sekine¹, Masaru Hori³ (1.Nagoya Univ. Eng., 2.Meijo Univ., 3.Nagoya Univ. Inst. of Innovation for Future Society)

Keywords:amorphous carbon, plasma diagnostics, PECVD

プラズマCVD法によるアモルファスカーボン膜の成膜メカニズムを明らかにするため、ガス滞在時間を変化させた際のプラズマ中のCH₃密度を四重極型質量分析器を用いて出現質量分析を行い計測した。滞在時間が6msのときにCH₃密度は最大となり、X線吸収分光法により定量化したsp²炭素結合の含有量は、CH₃密度が最大となる時に最小値(46%)となった。これらの結果よりアモルファスカーボン膜のsp²炭素結合の含有量は気相中のCH₃密度に相関があることを明らかにした。講演では、CH₃による膜中のsp²とsp³炭素比の変化及び、ガス滞在時間によるCH₃の形成メカニズムについて考察する。