[20a-438-1~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [20a-438-4] Sputter Epitaxy of In-rich (ZnO)_x(InN)_1-x Films Directly on Sapphire Substrates

〇Nanoka Miyahara¹, Daisuke Yamashita¹, Kunihiro Kamataki¹, Daisuke Nakamura¹, Kazunori Koga¹, Masaharu Shiratani¹, Naho Itagaki¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:(ZnO)x(InN)1-x, sputtering

筆者らは，組成比制御によりバンドギャップを1.0-3.4 eVの広帯域に渡って可変なZnOとInNの擬2元系混晶(ZnO)_x(InN)_1-x(以下ZION) を開発している．本講演では，ターゲット及び気相からの原子・分子フラックス制御に加えて，基板温度により酸素・窒素の脱離反応制御を行うことで，サファイア基板直上にIn-rich ZION膜のへテロエピタキシーを実現した結果を報告する．