[20a-438-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [20a-438-4] スパッタエピタキシーによるサファイア基板直上へのIn-rich (ZnO)_x(InN)_1-x膜の作製

〇宮原 奈乃華¹、山下 大輔¹、鎌滝 晋礼¹、中村 大輔¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹、板垣 奈穂¹ (1.九大シス情)

キーワード：窒化インジウム酸化亜鉛、スパッタリング

筆者らは，組成比制御によりバンドギャップを1.0-3.4 eVの広帯域に渡って可変なZnOとInNの擬2元系混晶(ZnO)_x(InN)_1-x(以下ZION) を開発している．本講演では，ターゲット及び気相からの原子・分子フラックス制御に加えて，基板温度により酸素・窒素の脱離反応制御を行うことで，サファイア基板直上にIn-rich ZION膜のへテロエピタキシーを実現した結果を報告する．