[20a-438-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [20a-438-6] 二元スパッタリングで成膜されたSi含有DLC膜のトライボ特性

〇(M2)三輪 侑生¹、小田 昭紀²、上坂 裕之³、太田 貴之¹ (1.名城大理工、2.千葉工大、3.岐阜大工)

キーワード：Si-DLC、スパッタリング、低摩擦

シリコンが含まれたDLC（Si-DLC）膜は従来のDLC膜に比べ、低い摩擦係数を示すことが報告されている。膜中に水素の含まれない水素フリーDLC膜も低摩擦係数を示すことが報告されている。
本研究では、独立したカーボン及びシリコンターゲットを用いた二元スパッタリング法により水素フリーSi-DLC膜の成膜を行った。膜中のSi含有量が過剰になると、DLC膜の構造が乱れ摩滅しやすい膜になることが示唆された。