[20a-438-1~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [20a-438-8] Defect termination mechanism of amorphous carbon films by atomic hydrogen

〇Yasuyuki Ohashi¹, Hirotsugu Sugiura¹, Hiroki Kondo¹, Kenji Ishikawa¹, Takayoshi Tsutsumi¹, Makoto Sekine¹, Masaru Hori² (1.Nagoya Univ. Eng., 2.Nagoya Univ. Inst. Innovation for Future Society)

Keywords:amorphous carbon, solar cell

アモルファスカーボン (a-C)膜は、低コスト、幅広い多様なエネルギーバンドギャップを持つこと等の特徴から、太陽電池等の半導体電子デバイスへの応用が期待されている。しかしa-Cにおける半導体特性は解明されておらず、a-Cにおける光起電力の発現も確認されていない。その要因としては、a-C膜中に高密度に存在する欠陥準位が考えられる。そこで、本研究では、原子状水素（H）によるa-C膜中の欠陥終端機構の解明を目的として、H照射下でのin-situ電子スピン共鳴法 によって、H照射下でのa-C膜中の欠陥spin密度の変化を明らかにした。