[20a-438-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [20a-438-8] 原子状水素によるアモルファスカーボン膜の欠陥終端機構

〇大橋 靖之¹、杉浦 啓嗣¹、近藤 博基¹、石川 健治¹、堤 隆嘉¹、関根 誠¹、堀 勝² (1.名大院工、2.名大未来社会創造機構)

キーワード：アモルファスカーボン、太陽電池

アモルファスカーボン (a-C)膜は、低コスト、幅広い多様なエネルギーバンドギャップを持つこと等の特徴から、太陽電池等の半導体電子デバイスへの応用が期待されている。しかしa-Cにおける半導体特性は解明されておらず、a-Cにおける光起電力の発現も確認されていない。その要因としては、a-C膜中に高密度に存在する欠陥準位が考えられる。そこで、本研究では、原子状水素（H）によるa-C膜中の欠陥終端機構の解明を目的として、H照射下でのin-situ電子スピン共鳴法 によって、H照射下でのa-C膜中の欠陥spin密度の変化を明らかにした。