[20a-PA3-1~3] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[20a-PA3-2] Piezoresistance Effects on Germanium ２

〇Kazunori Matsuda¹, Shiro Nagaoka² (1.Tokubun Univ., 2.NIT Kagawa)

Keywords:semiconductor, piezoresistance

半導体のピエゾ抵抗効果が導体のおよそ100倍もあることがSmith によって発見されて以来, Hensel, 長谷川，藤安等により歪サイクロトロン共鳴の実験や，Pikus & Bir, Herring & Vogt, 鈴木・長谷川・神田等による理論的な研究が行われてきた．近年では歪Siは高速RFデバイスやヘテロ構造のデバイス，歪センサ等に使われている．GeはSiに比べて移動度が大きく，次世代の材料として注目されている．しかしこれまでの歪半導体の研究はSiでは多く報告されているが，Geについてはあまり研究されていない．そこで本研究では，Geのピエゾ抵抗効果をモデル化し，デバイス設計に直接利用できるようにする，