2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20a-PA4-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2018年9月20日(木) 09:30 〜 11:30 PA (イベントホール)

09:30 〜 11:30

[20a-PA4-5] 紫外光電子分光によるMg2Si単結晶の表面電子状態に関する研究

谷本 拓1、北浦 守1、東 純平2、山本 勇2、今村 真幸2、高橋 和敏2、鵜殿 治彦3、石崎 学1、大西 彰正1、原 和彦4 (1.山形大理、2.佐賀大シンクロ、3.茨城大工、4.静岡大電研)

キーワード:シリサイド半導体、紫外光電子分光法