[20a-PA5-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[20a-PA5-12] S-Passivation処理によるGe基板の表面状態

〇黒田 達也¹、小川 隼平¹、加藤 那征¹、丹羽 一宏¹、石崎 博基¹ (1.埼工大工)

キーワード：半導体、パッシベーション