[20a-PA5-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[20a-PA5-2] 低温(150^oC)アニールによる低温酸化Si膜中残留OH成分の除去

〇堀田 將¹ (1.北陸先端大)

キーワード：シリコン酸化膜、低温、アニール

有機Si系の堆積源を用いて酸化Si膜をより低温で堆積すると、膜中には水分に起因したOH基がより多く残留し、絶縁性を悪化させる。そのため、堆積後には、アニール処理によりそれらを除去しなければならない。しかし、十分な低減には、堆積温度以上の高温が必要となる場合もあり、問題となっている。我々は、今までOH量の低減が殆ど無い150℃の低温でも、アンモニアガスを用いることで、大幅に減少させることができた。