[20a-PA5-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[20a-PA5-4] SiH₄/O₃による低温常圧CVD SiO₂膜の生成と酸化物半導体TFTへの適用

〇鈴木 宏之¹、上野 智雄²、内山 博幸³、倉知 郁生⁴、吉岡 献太郎¹ (1.天谷製作所、2.東京農工大、3.日立製作所、4.D&S Inc.)

キーワード：シリコン酸化膜、CVD、パッシベーション

フラットパネルディスプレーの製造においては、大面積のガラス基板へ低温でシリコン酸化膜を形成する技術が必須となっている。そこで、我々は低温でもシリコン酸化膜形成が可能なSiH₄/O₃ガス系の常圧CVD装置を開発し、膜特性の観点から成膜条件の最適化を行った。更に、この装置を用いて300℃以下で成膜したシリコン酸化膜を酸化物半導体TFTのパッシベーションへ適用し評価した結果、良好なTFT特性が得られることを確認した。