[20a-PB5-1~10] 3.14 光制御デバイス・光ファイバー

[20a-PB5-2] a-Si/LiNbO₃ハイブリッド導波路を用いたMZ型光変調器の作製

〇吉冨 健太¹、Qiu Feng²、横山 士吉^1,2 (1.九大総理工、2.九大先導研)

キーワード：光変調器、ニオブ酸リチウム、シリコン光導波路

薄膜a-Si層をLiNbO₃/SiO₂/Siに成膜したa-Si-LNOIハイブリッド光導波路を作製し、MZ型変調器としての強度変調特性を明らかにした。a-Si層の厚さは50nmと薄く、光モード計算の結果から強く光電場がLiNbO₃層に浸みだして光伝搬することが分かった。作製したMZ型変調器のVπLは、2.1 V・cmであり、光モードのさらなる最適化による低電圧駆動、および高速光伝送用の強度変調器への応用が期待できる。