[20a-PB8-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

[20a-PB8-2] 混合前駆体原料を用いたMOCVD法によるHfZrO₂極薄膜の作製 ... ...

〇(M1)中野 元太¹、中嶋 宇史^1,2、橋爪 洋一郎¹、岡村 総一郎¹ (1.東理大理、2.JST さきがけ)

キーワード：強誘電体、酸化ハフニウム、有機金属気相成長法

本研究では、代表的な酸化ハフニウム強誘電体であるHfZrO₂に注目し、気化特性が同程度のMOCVD前駆体原料を予め混合させ、極薄膜の一括成膜を試みたので、その結果について報告をする。