[20a-PB8-1~9] 6.1 Ferroelectric thin films

[20a-PB8-4] Temperature dependence of direct electric properties of Pb(Zr,Ti)O₃ piezoelectric thin films

〇Yuya Kanamitsu¹, Goon Tan¹, Toshihito Umegaki¹, Isaku Kanno¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:piezoelectric, thin films, PZT

近年，PZT圧電薄膜を用いたMEMSデバイスに関する研究が進められている．圧電MEMSデバイスの実用化において，使用環境による圧電薄膜の圧電特性への影響について検討する必要がある．本研究では， RFマグネトロンスパッタ法を用いてSi基板上に成膜したPZT圧電薄膜の温度を変化させた際の圧電定数および比誘電率を測定することにより，その温度依存性に関する評価を行った．