[20a-PB9-1~14] 6.2 カーボン系薄膜

[20a-PB9-11] 多結晶ダイヤモンド表面の局所電気状態評価

〇藤井 茉美¹、唐木 裕馬¹、宮越 雄太¹、Bermundo Juan Paolo¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：多結晶ダイヤモンド、原子間力顕微鏡、表面欠陥

ダイヤモンドは低欠陥単結晶大型基板を作製することが困難であるため，多結晶ダイヤモンドを用いたデバイス応用が検討されている．多結晶ダイヤモンドは，単結晶より性能は劣るものの低コストでダイヤモンドの特徴を生かしたハイパワーMOSFETの実現が期待される．しかし，多結晶では結晶粒界を含む高密度欠陥が存在すると予想されるため，表面の欠陥状態を知ることはデバイス応用において重要である．そこで，多結晶ダイヤモンド表面の局所電流スポットの解析から，欠陥の電気的な挙動を知ることを目指した．