Voltage-driven magnetization switching using inverse-bias scheme

Tatsuya Yamamoto; Takayuki Nozaki; Hiroshi Imamura; Takuro Ikeura; Yoichi Shiota; Shingo Tamaru; Kay Yakushiji; Hitoshi Kubota; Akio Fukushima; Yoshishige Suzuki; Shinji Yuasa

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[20p-131-1~8] 【CS.9】 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）, 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術, 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術, 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション

2018年9月20日(木) 13:00 〜 15:15 131 (131+132)

後藤穣(阪大)

13:00 〜 13:15

▼ [20p-131-1] Voltage-driven magnetization switching using inverse-bias scheme

〇Tatsuya Yamamoto¹、Takayuki Nozaki¹、Hiroshi Imamura¹、Takuro Ikeura^1,2、Yoichi Shiota¹、Shingo Tamaru¹、Kay Yakushiji¹、Hitoshi Kubota¹、Akio Fukushima¹、Yoshishige Suzuki^1,3、Shinji Yuasa¹ (1.AIST、2.Tsukuba Univ.、3.Osaka Univ.)

キーワード：voltage-controlled magnetic anisotropy, magnetization switching, magnetic tunnel junction

We study experimentally the voltage-driven magnetization switching using the inverse-bias scheme. We also employ detailed numerical simulations for understanding the magnetization dynamics and the dependence of WER.