[20p-131-1~8] 【CS.9】 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）, 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術, 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術, 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション

[20p-131-7] Atomic-layer alignment dependence of the electric-field-induced modification of magnetocrystalline anisotropy

〇林 浩平¹、Abdul-Muizz Pradipto¹、秋山 亨¹、伊藤 智徳¹、小口 多美夫^2,3、中村 浩次^1,3 (1.三重大院工、2.阪大産研、3.物材機構)

キーワード：第一原理計算、電界効果、結晶磁気異方性