[20p-136-1~11] 13.9 Compound solar cells

[20p-136-8] Evaluation on hetero-interfaces properties in GaAs solar cells grown by HVPE

〇Ryuji Oshima¹, Yasushi Shoji¹, Kikuo Makita¹, Akinori Ubukata², Takeyoshi Sugaya¹ (1.AIST, 2.TNSC)

Keywords:III-V compound semiconductors, Hydride vapor phase epitaxy, Solar cells

我々は、高効率III-V族太陽電池の製造コストの低減を目指してHVPE装置の開発を行っている。今回、GaAsセルにおけるInGaP/GaAsヘテロ界面の検討を行うために、ヘテロ界面においてAsH₃, もしくはPH₃供給下で成長中断を行い比較した。セル特性では、AsH₃の場合と比較してPH₃で成長中断することで変換効率が15.1%から19.4%に向上した。これは、AsH₃で成長中断した場合、p-InGaP BSF層とp-GaAsベース層の界面に数 nmの混晶層が形成され、再結合が促進されたことが考えられる。