[20p-136-1~11] 13.9 化合物太陽電池

[20p-136-8] HVPE法を用いたGaAs太陽電池のヘテロ界面の検討

〇大島 隆治¹、庄司 靖¹、牧田 紀久夫¹、生方 映徳²、菅谷 武芳¹ (1.産総研、2.大陽日酸)

キーワード：III-V族化合物半導体、ハイドライド気相成長法、太陽電池

我々は、高効率III-V族太陽電池の製造コストの低減を目指してHVPE装置の開発を行っている。今回、GaAsセルにおけるInGaP/GaAsヘテロ界面の検討を行うために、ヘテロ界面においてAsH₃, もしくはPH₃供給下で成長中断を行い比較した。セル特性では、AsH₃の場合と比較してPH₃で成長中断することで変換効率が15.1%から19.4%に向上した。これは、AsH₃で成長中断した場合、p-InGaP BSF層とp-GaAsベース層の界面に数 nmの混晶層が形成され、再結合が促進されたことが考えられる。