[20p-141-1~13] 強誘電HfO₂技術の最新動向　～プロセス・物性からデバイス・回路応用まで～

[20p-141-1] HfO₂基強誘電体の相安定性と特性制御

〇舟窪 浩¹、清水 荘雄¹、三村 和仙¹ (1.東工大　物院)

キーワード：HfO2　強誘電体

HfO₂基強誘電体は2011年に強誘電性が報告されて以来、10nm以下に薄膜化しても強誘電性が劣化しないという、これまでの強誘電体に無い特徴を有することから注目され、強誘電体メモリや負性容量トランジスタ等への応用が検討されている。著者らは、主にエピタキシャル膜を用いることで、材料の特性自体を明らかにし、特性の制御法を確立する試みを行ってきた。本稿ではこれまでに得られた知見をまとめると共に、今後の課題についても言及する。