[20p-144-1~12] Poly-Si TFTのルネサンスと新展開

[20p-144-5] cwレーザアニール結晶Si薄膜の双晶発生機構に関する考察

〇葉 文昌¹ (1.島根大総合理工)

キーワード：薄膜トランジスタ、ポリシリコン、マイクロシェブロンレーザビーム

cwレーザーアニール(CLA)法で得られた多結晶Si薄膜の結晶粒内双晶粒界は電気的不活性であるが、TFTに応用した場合では多様な表面方位が現れ、特性のバラツキとなるため、抑制する必要がある。過冷却度が小さいSi融液からの結晶成長では、固液界面では{111}ファセットが現れ、{111}ファセットで双晶が核発生する。一方で過冷却度が大きいCLAでは明らかではない。本研究ではマイクロシェブロン型レーザービームアニール(µCLBA)法で一次元的に結晶粒を成長させ、結晶粒内の双晶間の双晶軸を調べることにより、双晶核発生が起こった{111}ファセットを特定し、かつ結晶成長時に固液界面に存在しうる{111}ファセットを推定した。本研究により双晶が発生しやすい結晶方位を明らかにした。