[20p-211A-1~18] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[20p-211A-11] MBE成長Eu添加GaN薄膜におけるゼーマン分裂

〇小野田 稜太¹、関口 寛人²、若原 昭浩²、中岡 俊裕¹ (1.上智大理工、2.豊橋技科大工)

キーワード：ユウロピウム、窒化ガリウム、ゼーマン分裂

固体中に添加された希土類原子は，外部環境の影響を受けずにその元素特有の量子準位を形成することが知られ，発光素子，将来の量子情報素子としての応用が研究されている。GaNにEuをドープした系ではEuの4f殻内遷移による高効率赤色発光が得られており，次世代発光素子として活発に研究されている。本研究では，MBE成長によるEuドープGaN薄膜において，Euイオンの⁵D₀-⁷F₂遷移に対応した発光ピークのゼーマン分裂を観測したのでこれを報告する。