[20p-211A-1~18] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[20p-211A-8] トップダウンナノテクノロジーで作製したIn_0.3Ga_0.7Nナノディスクにおける光励起キャリアの熱脱離

〇(D)陳 亜鳳¹、木場 隆之²、高山 純一¹、肥後 昭男³、谷川 智之⁴、寒川 誠二³、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学、2.北見工大、3.東北大AIMR/流体研、4.東北大金研)

キーワード：InGaN、ナノディスク、キャリアダイナミクス

高い面密度と強い量子効果を持つ10 nm程度以下のInGaNナノ構造の作製は困難であった。我々は、有機金属気相成長法でIn_0.3Ga_0.7N QWを成長させ、バイオナノテンプレートを用いた欠陥形成を十分抑制可能な中性粒子ビームエッチングにより、平均直径5 nmで厚さ2, 3 nm、面密度2*10¹¹ cm^-2のナノディスクを作製した。光励起キャリアダイナミクスを明らかにして、高温での熱活性化エネルギーは、ND価電子帯の障壁高さと良く一致するため、正孔の熱脱離に起因することがわかる。