[20p-212B-1~14] 11.4 アナログ応用および関連技術

[20p-212B-10] 原子層堆積法で成膜したNbN/AlN/NbN トンネル接合素子(NbN-STJ)の
電流電圧特性評価

〇浮辺 雅宏¹、藤井 剛¹、志岐 成友¹、大久保 雅隆¹ (1.産業技術総合研究所)

キーワード：NbN超伝導トンネル接合、イオン検出器、解離性再結合反応

静電型イオン蓄積リングでの中性フラグメント測定に適用することを目指し、2K以上の温度で動作可能な高性能NbN/AlN/NbN STJ（NbN-STJ）アレイ粒子検出器の開発を進めている。化学反応により原子一層ずつ目的とする物質を成膜する原子層堆積法(ALD)を用いてNbNの膜厚を100 nmとしたNbN/AlN/NbN多層膜を成膜し、Nb/Al-STJを作製するのと同様の微細加工プロセスを用いてNbN-STJアレイを作製、その超伝導特性及び電流電圧(I-V)特性を評価した。