2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[20p-222-1~23] 6.2 カーボン系薄膜

2018年9月20日(木) 13:15 〜 19:30 222 (222)

青野 祐美(防衛大)、針谷 達(豊橋技科大)、寺地 徳之(物材機構)、加藤 有香子(産総研)

13:15 〜 13:30

[20p-222-1] 高純度ホモエピタキシャルダイヤモンド(111)成長

寺地 徳之1、渡邊 賢司1 (1.物材機構)

キーワード:ダイヤモンド、化学気相成長、純度

本研究では、酸素添加成長条件を(111)結晶成長に適したものに最適化し、(100)結晶と同様に高純度薄膜の成長を試みた。最適化した条件で74時間の成長を行うことで、膜厚が140µmのホモエピタキシャルダイヤモンド(111)薄膜を得た。カソードルミネッセンスでダイヤモンド中の不純物を評価したところ、窒素に関連する発光は観測されなかった。