[20p-222-1~23] 6.2 カーボン系薄膜

[20p-222-4] ダイヤモンドエピ薄膜の転位の解析

〇鹿田 真一¹、松山 悠夏¹、寺地 徳之² (1.関学大理工、2.物材機構)

キーワード：転位、ダイヤモンド、ホモエピ薄膜

次世代省エネパワーデバイスにおいては、エピ膜転位低減が極めて重要である。本研究では、ホモエピ薄膜を成長し、転位の正確な特定を試みた。0°傾いた（001）基板上のエピでは、新たに発生した転位密度は240cm-2であった。3°傾斜では、新たに30cm-2の転位が生成されたことが分かった。酸素添加合成及び傾斜基板を用いた「Lateral成長」が、異常成長を抑制して低転位エピタキシャル層を成長するのに適していることを示している。