[20p-222-1~23] 6.2 Carbon-based thin films

[20p-222-7] Three-dimensional Atomic Arrangement Around Active/inactive Dopant Sites in Boron-doped Diamond

〇Yukako Kato¹, Daichi Tsujikawa², Yusuke Hashimoto², Taisuke Yoshida², Shun Fukami², Masahiko Ogura¹, Hiroyuki Matsuda², Munetaka Taguchi², Tomohiro Matsushita³, Hiroshi Daimon² (1.AIST, 2.NAIST, 3.JASRI)

Keywords:diamond, power device, 3D active site science

絶縁破壊電界特性が高いダイヤモンドは、パワーデバイスのさらなる低ゲート制御電力化と高破壊耐圧化を実現できる材料として期待されている。活性状態にあるボロンの原子位置(ドーパントサイト)を解明し、得られた知見をダイヤモンド合成技術にフィードバックして、より活性化率の高いp型ダイヤモンドを得ることが本研究の課題である。光電子スペクトル・光電子回折像によるドーパントサイト解析結果から、B 1sの光電子スペクトルには2本のピークが観測され、それらの放出角度依存性から、それぞれのピークに対応する2種類のドーパントサイトを推測することができた。