[20p-222-1~23] 6.2 カーボン系薄膜

[20p-222-7] ボロンドープダイヤモンドの活性/非活性ドーパントの原子配列

〇加藤 有香子¹、辻川 大地²、橋本 由介²、吉田 泰輔²、深見 駿²、小倉 政彦¹、松田 博之²、田口 宗孝²、松下 智裕³、大門 寛² (1.産業技術総合研究所、2.奈良先端科学技術大学院大学、3.高輝度光科学研究センター)

キーワード：ダイヤモンド、パワーデバイス、3D活性サイト科学

絶縁破壊電界特性が高いダイヤモンドは、パワーデバイスのさらなる低ゲート制御電力化と高破壊耐圧化を実現できる材料として期待されている。活性状態にあるボロンの原子位置(ドーパントサイト)を解明し、得られた知見をダイヤモンド合成技術にフィードバックして、より活性化率の高いp型ダイヤモンドを得ることが本研究の課題である。光電子スペクトル・光電子回折像によるドーパントサイト解析結果から、B 1sの光電子スペクトルには2本のピークが観測され、それらの放出角度依存性から、それぞれのピークに対応する2種類のドーパントサイトを推測することができた。