[20p-231B-1~14] 12.2 Characterization and Materials Physics

[20p-231B-6] Electronical characterization for Nanomaterials in nano-gap structures

〇Yusuke Tanaka¹, Yasuhito Yoshimizu², Hideyuki Nishizawa¹ (1.Future Memory Development Department, Device Technology R&D Center, Institute of Memory Technology R&D, Toshiba Memory Corporation, 2.Advance Unit Technology Research Group, Advanced Memory Process Development Department, Advanced Memory Development Center, Toshiba Memory Corporation)

Keywords:Nanogap

電極間に成膜したSiO₂薄膜を選択的に除去することでナノギャップを一括形成し、3 GV/m以上の高耐圧な電気特性を示すナノギャップ電極の作製方法を確立した。高耐圧なナノギャップ電極間にナノ材料を挿入させ、ナノ材料固有の電気特性を観測した結果について報告する。