[20p-231B-1~14] 12.2 評価・基礎物性

[20p-231B-6] ナノギャップ電極を用いたナノ材料の電気特性評価

〇田中 裕介¹、吉水 康人²、西沢 秀之¹ (1.東芝メモリ株式会社 メモリ技術研究所　デバイス技術研究開発センター　新規メモリ開発部、2.東芝メモリ株式会社 先端メモリ開発センター 先端メモリプロセス開発部 アドバンス・ユニット技術研究担当)

キーワード：ナノギャップ

電極間に成膜したSiO₂薄膜を選択的に除去することでナノギャップを一括形成し、3 GV/m以上の高耐圧な電気特性を示すナノギャップ電極の作製方法を確立した。高耐圧なナノギャップ電極間にナノ材料を挿入させ、ナノ材料固有の電気特性を観測した結果について報告する。