2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.2 評価・基礎物性

[20p-231B-1~14] 12.2 評価・基礎物性

2018年9月20日(木) 13:15 〜 17:15 231B (231-2)

大戸 達彦(阪大)、大塚 洋一(阪大)、古川 一暁(明星大)

15:30 〜 15:45

[20p-231B-9] 導電性高分子ワイヤー抵抗変化素子特性の電極依存性評価

岡田 将1、杉戸 泰雅1、浅井 哲也2、桑原 裕司1、赤井 恵1,3 (1.阪大院工、2.北大院情報、3.JSTさきがけ)

キーワード:ニューロモルフィック、ニューラルネットワーク、導電性高分子

脳内のネットワークを参考にして生み出された情報処理技術技術が人工ニューラルネットワーク(Artificial Neural Network : ANN)であり、様々な分野で応用されている。しかしながらソフトウェアであるANNは既存のノイマン型コンピュータによる制限を受けてしまうため、不揮発性抵抗変化素子を用いた新たなANN専用ハードウェアが必要とされている。本研究では抵抗変化素子として導電性高分子PEDOT:PSSを用いた。モノマーであるEDOTと電解質のPSSを含んだ溶液に電極を浸漬して成長電圧を印加することによりPEDOT:PSSがワイヤー上に成長し、電極間を架橋するたびにコンダクタンス値が上昇する。本発表では電極先端の曲率半径によるコンダクタンス値変化への影響を調べ、抵抗変化素子としての最適条件を検討した。