The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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Oral presentation

21 Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20p-234A-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Sep 20, 2018 1:30 PM - 6:30 PM 234A (234-1)

Masataka Higashiwaki(NICT), Tetsuya Yamamoto(Kochi Univ. of Tech.), Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.)

4:00 PM - 4:15 PM

[20p-234A-10] Fabrication and Optimization of Zinc Oxide Thin Film Growth using Angle-Controlled Magnetron Sputtering

Takumi Hosaka1,2, Yoshihito Yamagata1,2, Takeo Ohsawa2, Sergey Grachev3, Herve Montigaud3, Takamasa Ishigaki1, Naoki Ohashi2 (1.Hosei Univ., 2.NIMS, 3.Saint-Gobain Recherche)

Keywords:Zinc Oxide, Thin film

酸化亜鉛(ZnO)系透明導電膜を利用した材料群の高機能化には、異種材料の積層構造が必要となる。積層薄膜作製においては、スパッタ源の取り付け角度によってスパッタ粒子の入射方向が規定され、薄膜結晶成長に影響することがある。本研究では、ZnO系積層薄膜作製に向けた新たな取組みとして、スパッタ粒子の入射角度と基板-ターゲット間距離に着目して、ZnO薄膜の構造・物性を評価し、成膜条件を検討したので報告する。