[20p-234A-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20p-234A-2] Observation of emission spots in HVPE (001) β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes

〇(M1)Eitetsu Katagiri¹, Kohei Sasaki^2,3, Katsumi Kawasaki⁴, Jun Hirabayashi⁴, Akito Kuramata^2,3, Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ., 2.Novel Crystal Tech., 3.Tamura Corp., 4.TDK Corp.)

Keywords:Gallium Oxide, HVPE, emission spot

β-Ga₂O₃は，4.8 eVのバンドギャップを有し，パワー半導体として期待されている．近年，Halide Vapor Phase Epitaxy（HVPE）法が進展し，高品質なエピ膜が高速成長できるようになった．我々は，Edge-defined film-fed growth（EFG）成長結晶に作製したショットキーバリアダイオード(SBD)の電気的特性(I-V)と転位との関連を明らかにし，前回，HVPE成長エピ膜に作製した高リークのSBDでは、芯あり弾丸状エッチピットが観察された．今回，HVPE SBDでエミッション観察を行い，エミッションスポットと芯あり弾丸状エッチピットとの関連を調べたので報告する．