[20p-234A-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-234A-7] 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるSiO₂/HfO₂誘電体分布ブラッグ反射鏡の作製

〇嶋 紘平¹、粕谷 拓生^1,2、小島 一信^1,2、秩父 重英^1,2 (1.東北大多元研、2.東北大院工)

キーワード：ヘリコン波励起プラズマスパッタ、酸化ハフニウム、分布ブラッグ反射鏡

ZnOを活性層とするポラリトンレーザを実現するために、高反射率な誘電体分布ブラッグ反射鏡（DBR）が必要である。平滑な表面モフォロジーを実現できる反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法を用いてSiO₂/HfO₂-DBRを作製した結果、SiO₂/ZrO₂-DBRの場合に課題であった紫外線領域における吸収損失を低減することができた。