[20p-234A-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20p-234A-9] Time-resolved photoluminescence study of process-induced defects in ZnO

〇(M1)Takumi Kasuya^1,2, Kohei Shima¹, Kazunobu Kojima^1,2, Shigefusa Chichibu^1,2 (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.Dept. Appl. Phys.-Tohoku Univ.)

Keywords:Zinc oxide, Time-resolved photoluminescence

ZnOは室温における禁制帯幅が広く、励起子束縛エネルギーが大きいことから、それらの特徴を生かした光・電子デバイス用材料として期待されている。本講演では、ZnOの加工プロセス前後における表面付近での非輻射再結合過程を時間分解フォトルミネッセンス法により観測した結果を報告する。