[20p-234B-1~17] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[20p-234B-6] 低温におけるSiGeナノワイヤー中の熱輸送に関する考察

〇岡本 昂¹、柳澤 亮人¹、アラム マハフーズ²、澤野 憲太郎²、野村 政宏^1,3 (1.東大生研、2.東京都市大、3.JSTさきがけ)

キーワード：フォノン、ナノ構造、SiGe

SiGe合金はSiやGeの単体よりも2桁程度低い熱伝導率を持っているため、Si系材料の中でも熱電変換応用が期待されている物質である。二つの質量の異なる原子によって、フォノンが散乱される合金散乱は、高周波フォノンをより散乱するため、SiGe中のフォノン平均自由工程は、Siなどに比べて長くなるといわれており、それを利用した室温での弾道的熱輸送現象も報告されている。本研究では、RIEを用いたトップダウンの加工で作製したSiGeナノワイヤーにおいて、熱の減衰時間が低温において、室温とは異なった依存性を持つことを見出し、そのメカニズムを考察した。