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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[20p-235-1~15] 13.8 光物性・発光デバイス

2018年9月20日(木) 13:30 〜 17:30 235 (3Ｆラウンジ２)

國本崇(徳島文理大)、深田晴己(金沢工大)

16:00 〜 16:15

[20p-235-10] スパッタリング法によるEu,Si共添加AlN薄膜の形成における共添加材料の検討

〇(M2)森本一総¹、勝俣裕¹ (1.明大理工)

キーワード：AlN、スパッタリング、Eu