[20p-311-1~18] 17.2 Graphene

[20p-311-13] Improvement of Graphene FET Characteristics by Fabrication Resist

〇Hiroko Nakamura¹, Reiko Yoshimura¹ (1.Toshiba Corporation)

Keywords:graphene, FET, Resist

グラフェンは高感度のセンサー材料として期待されている。グラフェン加工に使用されることの多いノボラック樹脂ベースのレジストはベンゼン環を含み、グラフェンとπ-π結合してグラフェン表面を汚染することが予想される。グラフェン電界効果トランジスターのチャネル部を、ベンゼン環を含まないアクリル樹脂がベースのレジストで加工したところ、ノボラック樹脂ベースのレジスト使用時よりも高い有効移動度が得られた。