2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.2 グラフェン

[20p-311-1~18] 17.2 グラフェン

2018年9月20日(木) 13:45 〜 18:30 311 (カスケード)

内田 建(慶大)、田畑 博史(阪大)

17:00 〜 17:15

[20p-311-13] グラフェンFET作製レジストによるデバイス特性の向上

中村 裕子1、吉村 玲子1 (1.東芝)

キーワード:グラフェン、FET、レジスト

グラフェンは高感度のセンサー材料として期待されている。グラフェン加工に使用されることの多いノボラック樹脂ベースのレジストはベンゼン環を含み、グラフェンとπ-π結合してグラフェン表面を汚染することが予想される。グラフェン電界効果トランジスターのチャネル部を、ベンゼン環を含まないアクリル樹脂がベースのレジストで加工したところ、ノボラック樹脂ベースのレジスト使用時よりも高い有効移動度が得られた。