[20p-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-331-10] N極性GaN HEMT構造のコンタクト抵抗の熱処理温度依存性

〇堀田 航史¹、富塚 ゆみ子¹、板垣 光祐¹、眞壁 勇夫²、吉田 成輝²、宮本 恭幸¹ (1.東工大工、2.住友電気工業)

キーワード：N極性GaN HEMT、コンタクト抵抗