[20p-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-331-11] TMAHによる表面処理のp型GaN/金属コンタクト特性への影響

〇清水 孝¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋¹、筒井 一生¹ (1.東工大)

キーワード：窒化ガリウム、コンタクト、p型GaN