[20p-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-331-13] リモートプラズマによる表面洗浄とSiO₂/GaN構造のin-situ形成

〇田岡 紀之¹、グェンスァン チュン^1,2、山本 泰史^1,2、大田 晃生²、山田 永¹、高橋 言緒¹、池田 弥央²、牧原 克典²、宮崎 誠一^2,3,1、清水 三聡^1,3 (1.産総研-名大GaN-OIL、2.名大院工、3.名大 IMaSS)

キーワード：GaN、MOS界面、リモートプラズマ