[20p-331-1~13] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [20p-331-2] Growth condition dependency of reverse leakage current of pn diode on free-standing GaN substrate II

〇Shigeyoshi Usami¹, Hayata Fukushima¹, Yuto Ando¹, Atsushi Tanaka^2,3, Maki Kushimoto¹, Manato Deki², Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,4,5 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, 3.NIMS, 4.ARC, 5.VBL)

Keywords:pn diodes, emission microscopy, multi photon excitation microscopy

GaN基板上縦型pnダイオードの逆方向リーク電流がホモエピタキシャル成長層の成長条件に大きく依存することを前回報告した．本公演では前回未調査であった転位タイプにまで言及し，リーク発生のメカニズムに一石を投じる．