[20p-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-331-9] GaN の光電気化学(PEC)エッチングが有する可能性
(1) 深堀りによる構造体の作製

〇堀切 文正¹、太田 博²、浅井 直美²、成田 好伸¹、吉田 丈洋¹、三島 友義² (1.サイオクス、2.法政大)

キーワード：GaN、光電気化学、深堀り加工

GaNは光電気化学(PEC)エッチングにより、低ダメージかつ平坦なエッチングができる。今回、金属マスクを用いて、直径90um、深さ20umの深堀りパターン加工に成功した。エッチング選択比は400 以上と推定され、サイドエッチング量も片側1um未満と非常に良好な制御性を有していた。今回、PECエッチングを用いたこれらGaNの深堀り加工の事例について報告する。