[20p-CE-1~9] GaNのエピタキシャル成長とデバイス科学

[20p-CE-2] GaNデバイスのキラーとなる転位欠陥とその低減法

〇田中 敦之^1,2、宇佐美 茂佳³、福島 颯太³、安藤 悠人³、久志本 真希³、出来 真斗¹、新田 州吾¹、本田 善央¹、天野 浩^1,2,4,5 (1.名大未来研、2.物材機構、3.名大院工、4.名大赤崎記念研究センター、5.名大VBL)

キーワード：窒化ガリウム、転位、パワーデバイス

本講演では、 単純な構造である pin ダイオードを題材に、 GaN on GaN パワーデバイスの逆方向
耐圧時にリーク原因となる転位を調べる上で分かってきたこと、 及びそのような転位低減の可能
性について議論したい。