1:45 PM - 2:15 PM
[20p-CE-2] Killer Dislocations of GaN Devices and Its Reduction Method
Keywords:gallium nitride, dislocation, power device
本講演では、 単純な構造である pin ダイオードを題材に、 GaN on GaN パワーデバイスの逆方向
耐圧時にリーク原因となる転位を調べる上で分かってきたこと、 及びそのような転位低減の可能
性について議論したい。
耐圧時にリーク原因となる転位を調べる上で分かってきたこと、 及びそのような転位低減の可能
性について議論したい。