[20p-CE-1~9] Epitaxial Growth and Device Science of GaN

[20p-CE-2] Killer Dislocations of GaN Devices and Its Reduction Method

〇Atsushi Tanaka^1,2, Shigeyoshi Usami³, Hayata Fukushima³, Yuto Ando³, Maki Kushimoto³, Manato Deki¹, Shugo Nitta¹, Yoshio Honda¹, Hiroshi Amano^1,2,4,5 (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.NIMS, 3.Dept. of Electronics, Nagoya Univ, 4.Nagoya Univ. ARC, 5.NU VBL)

Keywords:gallium nitride, dislocation, power device

本講演では、 単純な構造である pin ダイオードを題材に、 GaN on GaN パワーデバイスの逆方向
耐圧時にリーク原因となる転位を調べる上で分かってきたこと、 及びそのような転位低減の可能
性について議論したい。